[发明专利]低损耗小型化硅基数控衰减器有效

专利信息
申请号: 201811523720.0 申请日: 2018-12-13
公开(公告)号: CN109687840B 公开(公告)日: 2022-07-22
发明(设计)人: 何环环;沈宏昌;李健康;童伟 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: H03H11/24 分类号: H03H11/24
代理公司: 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 代理人: 熊玉玮
地址: 210016 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了低损耗小型化硅基数控衰减器,属于基本电子电路的技术领域。该数控衰减器包括:输入端口、输出端口、共用大位衰减模块、小位衰减模块,通过电平控制电路向共用大位衰减模块提供不同的电平控制开关管芯的导通程度来实现不同的衰减量,小衰减量位采用传统T型或者π型衰减模块实现,共用大位衰减模块、小位衰减模块由各自对应的控制端选择不同的衰减量。本发明公开的数控衰减器使用一个共用大位衰减模块实现了传统衰减器两位或者三位大位衰减单元的功能,具有插损小、尺寸小的优势。
搜索关键词: 损耗 小型化 基数 衰减器
【主权项】:
1.低损耗小型化硅基数控衰减器,其特征在于,包括:共用大位衰减模块,其输入端接输入端口,其控制端接n bit控制指令对应的控制电平,对输入信号进行步进衰减后输出n bit控制指令对应的衰减信号,小位衰减模块串,其首端接共用大位衰减模块的输出端,对共用大位衰减模块输出的信号进行小位衰减,其末端与输出端口连接,各小位衰减模块对其输入信号进行小位衰减,及,电平控制电路,其输入端接n bit控制指令,输出n bit控制指令对应的控制电平,n为共用大位衰减模块共用的大位个数。
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