[发明专利]低损耗小型化硅基数控衰减器

权利要求书

1.低损耗小型化硅基数控衰减器，其特征在于，包括：

共用大位衰减模块，其输入端接输入端口，其控制端接n bit控制指令对应的控制电平，对输入信号进行步进衰减后输出n bit控制指令对应的衰减信号，所述共用大位衰减模块为反射式衰减模块，

小位衰减模块串，其首端接共用大位衰减模块的输出端，对共用大位衰减模块输出的信号进行小位衰减，其末端与输出端口连接，各小位衰减模块对其输入信号进行小位衰减，及，

电平控制电路，其输入端接n bit控制指令，输出n bit控制指令对应的控制电平，n为共用大位衰减模块共用的大位个数。

2.根据权利要求1所述低损耗小型化硅基数控衰减器，其特征在于，该数控衰减器还包括接在小位衰减模块串末端和输出端口之间的另一共用大位衰减模块以及向另一共用大位衰减模块提供控制电平的电平控制电路，另一共用大位衰减模块按其接收的控制电平对小位衰减模块串输出的信号进行大位衰减。

3.根据权利要求1或2所述低损耗小型化硅基数控衰减器，其特征在于，所述共用大位衰减模块包括：第一至第四微带线，耦合器、第一开关管、第二开关管、第一电抗、第二电抗、第一电阻、第二电阻，第一微带线的一端接输入信号，耦合器的输入端接第一微带线的另一端，耦合器的隔离端口接第二微带线的一端，耦合器的耦合端口接第三微带线的一端，耦合器的直流端口接第四微带线的一端，第一开关管的集电极及第一电抗的一端均与第三微带线的另一端连接，第一开关管的发射与第一电阻的一端连接，第一电阻的另一端、第一电感的另一端均接地，第二开关管的集电极及第二电抗的一端均与第四微带线的另一端连接，第二开关管的发射极与第二电阻的一端连接，第二电阻的另一端、第二电抗的另一端均接地，第一开关管的基极、第二开关管的基极分别经偏置电阻接n bit控制指令对应的控制电平。

4.根据权利要求3所述低损耗小型化硅基数控衰减器，其特征在于，所述第一开关管、第二开关管为HBT管芯或MOS管芯或PIN管。

5.根据权利要求3所述低损耗小型化硅基数控衰减器，其特征在于，所述耦合器为Lange耦合器。

6.根据权利要求5所述低损耗小型化硅基数控衰减器，其特征在于，所述Lange耦合器为立体结构的折叠交指型Lange耦合器或非折叠交指型Lange耦合器。

7.根据权利要求1所述低损耗小型化硅基数控衰减器，其特征在于，所述小位衰减模块为T型衰减模块或者π型衰减模块。