[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201811512051.7 | 申请日: | 2018-12-11 |
公开(公告)号: | CN110010624B | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 林京男;郑裕澔;金东瑛 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H10K59/121;H10K59/131;G09G3/20 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种显示装置。公开了一种能够实现低功耗的显示装置。该显示装置包括在显示区中的具有多晶半导体层的第一薄膜晶体管和在显示区中的具有氧化物半导体层的第二薄膜晶体管,由此实现了低功耗,其中,设置在弯曲区中的至少一个开口与设置在所述显示区中的多个接触孔中的一个接触孔具有相同的深度,由此通过同一工艺形成开口和接触孔,因此工艺得以简化。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,该显示装置包括:基板,该基板具有显示区和弯曲区;第一薄膜晶体管,该第一薄膜晶体管设置在所述显示区中,所述第一薄膜晶体管具有第一半导体层、第一源电极和第一漏电极;第二薄膜晶体管,该第二薄膜晶体管设置在所述显示区中,所述第二薄膜晶体管具有第二半导体层、第二源电极和第二漏电极;第一源极接触孔和第一漏极接触孔,该第一源极接触孔和第一漏极接触孔是穿过在所述第一源电极和所述第一漏电极中的对应的那个电极和所述第一半导体层之间设置的至少一层无机介电膜形成的;第二源极接触孔和第二漏极接触孔,该第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔是穿过在所述第二源电极和所述第二漏电极中的对应的那个电极和所述第二半导体层之间设置的至少一层无机介电膜形成的;以及至少一个开口,该至少一个开口设置在所述弯曲区中,所述至少一个开口与所述第一源极接触孔、所述第一漏极接触孔、所述第二源极接触孔和所述第二漏极接触孔中的至少一个具有相同的深度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的