[发明专利]基于微加工工艺的深低温温度传感器封装结构及制备方法在审

专利信息
申请号: 201811506037.6 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN109520632A 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 刘景全;黎云;战光辉;白毅韦 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G01K7/00 分类号: G01K7/00
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 徐红银
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 发明提供一种基于微加工工艺的深低温温度传感器封装结构及制备方法,所述结构包括绝缘衬底、器件和盖帽,所述器件包括温度敏感膜、电极,所述绝缘衬底的上方设置所述温度敏感膜,所述温度敏感膜的上方设置所述电极,所述温度敏感膜通过所述电极与外界实现信号传输,所述盖帽位于所述绝缘衬底的上方,所述盖帽连接所述绝缘衬底,所述绝缘衬底直接作为封装管壳,使温度传感器更加接近热源,使所述盖帽与所述绝缘衬底形成封装空间,实现所述器件的封装。本发明使传感器测量敏感膜的值更加接近实际温度值,提高了传感器的测量精度,同时简化了传感器的封装结构,有效缩小封装尺寸,降低制作成本。
搜索关键词: 衬底 绝缘 温度敏感膜 盖帽 电极 温度传感器封装 微加工工艺 深低温 传感器 制备 封装 传感器测量 温度传感器 封装管壳 封装结构 封装空间 信号传输 敏感膜 热源 测量 制作
【主权项】:
1.一种基于微加工工艺的深低温温度传感器封装结构,其特征在于:所述结构包括绝缘衬底、器件和盖帽,所述器件包括温度敏感膜、电极,所述绝缘衬底的上方设置所述温度敏感膜,所述温度敏感膜的上方设置所述电极,所述温度敏感膜通过所述电极与外界实现信号传输,所述盖帽位于所述绝缘衬底的上方,所述盖帽连接所述绝缘衬底,所述绝缘衬底直接作为封装管壳使温度敏感膜更加接近热源,使所述盖帽与所述绝缘衬底形成封装空间,实现所述器件的封装。
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