[发明专利]外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法

摘要

本发明涉及外延生长装置和使用其的半导体外延晶片的制造方法。提供能够改善外延层形成时的膜厚均匀性控制的鲁棒性的外延生长装置。根据本发明的外延生长装置（100）是，一种外延生长装置，其特征在于，具有：载置半导体晶片（W）的基座（20）、向半导体晶片（W）的上表面供给第1工艺气体（G1）的第1气体供给部（150）、以及供给对半导体晶片（W）的周缘部中的第1工艺气体（G1）的气流进行控制的第2工艺气体（G2）的第2气体供给部（170），配设第2气体供给部，以使同时供给第1和第2工艺气体（G1）、（G2）时的第2工艺气体（G2）的气流的主流路（F）流入到基座（20）上并且该主流路与半导体晶片（W）的周缘隔离。

主权项

1.一种外延生长装置，使外延层在半导体晶片的表面上气相外延生长，所述外延生长装置的特征在于，具有：腔室；基座，在所述腔室的内部载置所述半导体晶片；第1气体供给部，具备放出第1工艺气体的第1放出口，向所述半导体晶片的上表面供给所述第1工艺气体，所述第1工艺气体包括用于使所述外延层气相外延生长的反应气体；以及第2气体供给部，具备放出第2工艺气体的第2放出口，向所述半导体晶片的上表面方向供给所述第2工艺气体，所述第2工艺气体控制所述半导体晶片的周缘部中的所述第1工艺气体的气流，配设所述第2气体供给部，以使同时供给所述第1和第2工艺气体时的所述第2工艺气体的气流的主流路流入到所述基座上并且该主流路与所述半导体晶片的周缘隔离。