[发明专利]含有机发光小分子界面修饰层的甲胺铅碘钙钛矿太阳电池有效
申请号: | 201811500751.4 | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109728166B | 公开(公告)日: | 2022-02-22 |
发明(设计)人: | 郝玉英;吴宇坤;丁赛赛;孙钦军;刘一凡;李战峰;崔艳霞 | 申请(专利权)人: | 太原理工大学 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42;H01L51/46 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 030024 山西*** | 国省代码: | 山西;14 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明属于太阳电池技术领域。含有机发光小分子界面修饰层的甲胺铅碘钙钛矿太阳电池,所述甲胺铅碘钙钛矿太阳电池从下至上顺序为,沉积有一层均匀的铟锡氧化物ITO层的玻璃基底的阳极、作为空穴传输层的沉积在铟锡氧化物ITO层上的聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸PEDOT:PSS薄膜、活性层、作为活性层界面修饰层的旋涂在活性层上的有机发光小分子材料四苯基苯并二茚并苝DBP层、作为电子传输层的旋涂在DBP层上的[6,6]‑苯基C60‑丁酸甲酯PC |
||
搜索关键词: | 有机 发光 分子 界面 修饰 甲胺铅碘钙钛矿 太阳电池 | ||
【主权项】:
1.含有机发光小分子界面修饰层的甲胺铅碘钙钛矿太阳电池,其特征在于:所述甲胺铅碘钙钛矿太阳电池从下至上顺序为,沉积有一层均匀的铟锡氧化物ITO层的玻璃基底的阳极、作为空穴传输层的沉积在铟锡氧化物ITO层上的聚(3, 4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸PEDOT:PSS薄膜、活性层、作为活性层界面修饰层的旋涂在活性层上的有机发光小分子材料四苯基苯并二茚并苝DBP层、作为电子传输层的旋涂在DBP层上的[6, 6]‑苯基C60‑丁酸甲酯PC61BM层、作为阴极修饰层的沉积在电子传输层上的[4,7]‑二苯基‑[1,10]‑菲啰啉Bphen、作为阴极的真空热蒸镀在电子传输层上的铝膜或银膜;所述活性层是由碘甲胺CH3NH3I、碘化铅PbI2混合后溶解于N,N‑二甲基甲酰胺DMF和二甲基亚砜DMSO混合溶剂中,形成 CH3NH3PbI3钙钛矿前驱液,然后将CH3NH3PbI3钙钛矿前驱液通过旋涂、清洗工艺并结合多步气氛退火处理工艺制成的;所述有机发光小分子材料四苯基苯并二茚并苝DBP层是将DBP溶解在氯苯CB或者四氢呋喃THF中形成1‑4 mg/mL的溶液,然后旋涂在活性层上,无须退火处理形成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于太原理工大学,未经太原理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811500751.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种显示背板及其制作方法、显示装置
- 下一篇:一种钙钛矿太阳能电池
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择