[发明专利]一种双层MEMS热电堆结构

摘要

本发明公开了一种双层MEMS热电堆结构，结构包括一由高阻硅构成的衬底，所述衬底上方设有下热偶材料层、测量正电极和测量负电极，且下热偶布料层上覆盖设置有一由Si3N4构成的阻隔层，阻隔层正上方设置有一与下热偶布料层对称的上热偶布料层；上热偶布料层与下热偶布料层均由指定数目的金属和半导体间隔排列构成，上热偶布料层的每一金属连接下热偶布料层的每一半导体或上热偶布料层的每一半导体连接下热偶布料层上的每一金属形成一个热电偶，且每一热电偶串联连接，相连两个热电偶之间形成热电堆；测量正电极连接热电偶的首部，测量负电极连接热电偶的尾部；本发明增加了热电堆的热偶数目，提高热电堆探测器的灵敏度和温度分辨率，且面积小，便于集成。

主权项

1.一种双层MEMS热电堆结构，其特征在于，所述热电堆结构包括一由高阻硅构成的衬底，所述衬底上方设有下热偶材料层、测量正电极和测量负电极，且所述下热偶布料层上覆盖设置有一由Si3N4构成的阻隔层，所述阻隔层正上方设置有一与所述下热偶布料层对称的上热偶布料层；其中，所述上热偶布料层与所述下热偶布料层均由指定数目的金属和半导体间隔排列构成，且所述上热偶布料层的金属部分与所述下热偶布料层的半导体部分对称设置，所述上热偶布料层的半导体部分与所述下热偶布料层的金属部分对称设置，并且所述上热偶布料层的每一所述金属连接所述下热偶布料层的每一半导体或所述上热偶布料层的每一半导体连接所述下热偶布料层上的每一金属形成一个热电偶，且每一所述热电偶串联连接，相连两个所述热电偶之间形成热电堆；所述测量正电极连接所述热电偶的首部，所述测量负电极连接所述热电偶的尾部。