[发明专利]微波消解-ICP-OES测定高硅铝合金中多元素百分含量的方法及其应用有效
| 申请号： | 201811483204.X | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN111272737B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 何雨珊;关宁昕;曹昆武 | 申请（专利权）人： | 核工业理化工程研究院 |
| 主分类号： | G01N21/73 | 分类号： | G01N21/73;G01N1/44 |
| 代理公司： | 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 | 代理人： | 李薇 |
| 地址： | 300180 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微波消解‑ICP‑OES测定高硅铝合金中多元素百分含量的方法，先利用微波消解前处理样品，再利用ICP‑OES测定高硅铝合金中多元素含量，所述高硅铝合金特指硅元素含量范围为2％～12.98％的铝合金，实现了一步消解样品，确保无硅元素析出以保证硅元素测量的精准度，并可同时测定多种元素。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 消解 icp oes 测定 铝合金 多元 百分 含量 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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