[发明专利]识别晶片中缺陷区域的方法有效
| 申请号： | 201811480564.4 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109887854B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 李在炯 | 申请（专利权）人： | 爱思开矽得荣株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 蔡文清;郭辉 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种识别晶片缺陷区域的方法。所述方法包括：制备样品晶片，在800℃至1000℃的温度下在样品晶片上形成初级氧化物膜，在1000℃至1100℃的温度下在初级氧化物膜上形成第二氧化物膜，在1100℃至1200℃的温度下在第二氧化物膜上形成第三氧化物膜，去除初级氧化物膜至第三氧化物膜，对去除了初级氧化物膜至第三氧化物膜的样品晶片的一个表面进行蚀刻，以在样品晶片的一个表面上形成模糊化，并且基于模糊化识别样品晶片的缺陷区域。 | ||
| 搜索关键词： | 识别 晶片 缺陷 区域 方法 | ||
【主权项】：
1.一种识别晶片缺陷区域的方法，所述方法包括：制品样品晶片；在800℃至1000℃的温度下在样品晶片上形成初级氧化物膜；在1000℃至1100℃的温度下在初级氧化物膜上形成第二氧化物膜；在1100℃至1200℃的温度下在第二氧化物膜上形成第三氧化物膜；去除初级氧化物膜至第三氧化物膜；对去除了初级氧化物膜至第三氧化物膜的样品晶片的一个表面进行蚀刻，以在样品晶片的所述一个表面上形成模糊化；以及基于模糊化识别样品晶片的缺陷区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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