[发明专利]低寄生电阻的肖特基二极管有效
| 申请号： | 201811477125.8 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109659353B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 宋旭波;吕元杰;梁士雄;王元刚;张立森;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低寄生电阻的肖特基二极管，属于半导体器件技术领域，包括金属阳极、金属阴极、N型半导体沟道和半导体重掺杂区，金属阳极与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；N型半导体沟道具有与半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层，通过肖特基结的射频信号经连接部进入半导体重掺杂区，到达金属阴极。本发明提供的低寄生电阻的肖特基二极管，在保证N型半导体沟道与半导体重掺杂区连通的同时，采用绝缘介质层部分隔开N型半导体沟道与半导体重掺杂区，使得肖特基结的射频信号只能通过连接部位进入半导体重掺杂区，最终到达阴极，不需要通过未耗尽的N型半导体沟道，可以减小寄生电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 寄生 电阻 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.低寄生电阻的肖特基二极管，其特征在于，包括：金属阳极，与N型半导体沟道连接，形成肖特基结；金属阴极，与半导体重掺杂区连接，形成欧姆接触；所述N型半导体沟道具有所述半导体重掺杂区隔开的绝缘介质层；所述N型半导体沟道还具有与所述半导体重掺杂区连接的连接部，借助所述连接部通过所述半导体重掺杂区连接所述金属阴极；通过所述肖特基结的射频信号经所述连接部进入所述半导体重掺杂区，到达所述金属阴极。
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