[发明专利]一种类胶质细胞神经形态器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811469105.6 | 申请日： | 2018-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN109585650B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 杨玉超;程彩蝶;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理有限公司 11360 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种类胶质细胞神经形态器件及其制备方法。该器件包括绝缘衬底和位于衬底上的底电极、阻变层、介质层和顶电极，其中，所述底电极位于绝缘衬底之上，介质层位于底电极之上，该介质层中经图形化刻蚀出孔结构，孔的底部暴露出底电极；阻变层覆盖在该孔底部和侧壁，以及包裹在该孔周围的介质层上；顶电极位于阻变层上；阻变层和介质层皆为半导体材料，但阻变层中的离子迁移率或离子浓度与介质层不同，且介质层的厚度大于阻变层。通过在顶、底电极上施加电压，改变介质层和阻变层中的电场强度分布，使介质层和阻变层发生离子的交互作用，从而影响阻变层中导电细丝的形成和熔断动力学，进而有效的模拟突触周围环境对突触可塑性的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 种类 胶质 细胞 神经 形态 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种类胶质细胞神经形态器件，包括绝缘衬底和位于衬底上的底电极、阻变层、介质层和顶电极，其中，所述底电极位于绝缘衬底之上，所述介质层位于底电极之上，该介质层中经图形化刻蚀出孔结构，孔的底部暴露出底电极；所述阻变层覆盖在该孔底部和侧壁，以及包裹在该孔周围的介质层上；所述顶电极位于阻变层上；所述阻变层和介质层皆为半导体材料，但阻变层中的离子迁移率或离子浓度与介质层不同，且介质层的厚度大于阻变层。
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