[发明专利]面向等离子体的金刚石膜第一壁制备方法

摘要

本发明公开了一种面向等离子体的金刚石膜第一壁及制备方法，将超声波清洗、热电子增强氢/氩等离子体蚀刻纯化处理和金刚石涂层热丝化学气相沉积结合起来，在石墨表面生长抗氢离子蚀刻的金刚石膜，本发明的有益效果在于：金刚石膜相比石墨和低活化马氏体钢，具有极高的导热率，高的抗氢离子蚀刻性能和低的氘氚吸附能力，同时还具有极强的防氚渗透能力，有望成为聚变实验装置的另一种面向等离子体材料选择。本发明在200mm见方的石墨表面生长了致密的金刚石膜，已在400eV、50mA的氢离子辐照10小时，在电镜下未观察到表面微观形貌变化，说明金刚石膜具有较高的抗氢离子蚀刻性能。