[发明专利]制造集成电路器件的方法

摘要

提供了制造集成电路器件的方法。该方法可以使用包括一个光刻工艺和两个双重图案化工艺的四重图案化技术(QPT)工艺在衬底上形成特征图案。通过第一个双重图案化工艺获得的牺牲间隔物和通过第二个双重图案化工艺获得的间隔物可以在特征层上形成在相等的水平面处。

主权项

1.一种制造集成电路器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成层，所述层包括第一材料；形成成对的牺牲间隔物，在所述成对的牺牲间隔物之间限定牺牲间隔物凹陷，其中所述牺牲间隔物凹陷暴露所述层的一部分，其中所述成对的牺牲间隔物包括所述第一材料；形成包括多个第一部分和第二部分的间隔物层，其中所述间隔物层的所述多个第一部分中的每个在所述成对的牺牲间隔物的侧壁中的相应一个上延伸，所述间隔物层的所述第二部分与所述层的所述部分重叠，其中所述间隔物层包括与所述第一材料不同的第二材料；形成与所述间隔物层的所述第二部分重叠的保护图案；去除所述保护图案的上部、所述间隔物层的上部和所述成对的牺牲间隔物的上部，以暴露所述成对的牺牲间隔物的下部；在所述保护图案与所述间隔物层的所述第二部分重叠时，去除所述成对的牺牲间隔物的所述下部以暴露所述层的多个第一蚀刻区域；去除所述保护图案以暴露所述间隔物层的所述第二部分；去除所述间隔物层的所述第二部分以形成多个间隔物并暴露所述层的第二蚀刻区域，其中所述多个间隔物暴露所述层的多个蚀刻区域，所述层的所述多个蚀刻区域包括所述层的所述多个第一蚀刻区域和所述第二蚀刻区域；以及通过使用所述多个间隔物作为蚀刻掩模而蚀刻所述层。