[发明专利]一种一维MoS2纳米带的制备方法

摘要

本发明涉及纳米材料技术领域，尤其涉及一种一维硫化钼纳米带的制备方法，本发明分别对硫和氧化钼进行加热，在氮气流的载流作用下，硫蒸汽与氧化钼蒸汽接触，氧化钼蒸汽被硫蒸汽还原，在硫蒸汽含量少(即缺硫)的环境中形成气态的钼氧化物，这些气态的钼氧化物沉积形成MoO_xS_2‑x，在硫蒸汽含量多(即富硫)的环境中，MoO_xS_2‑x被进一步硫化形成硫化钼。实施例结果表明，本发明提供的方法能够制备得到硫化钼纳米带，而且本发明提供的方法耗时短，且在不使用催化剂的条件下即可完成。

主权项

1.一种一维MoS₂纳米带的制备方法，包括以下步骤：在持续通入氮气的条件下，对S和MoO₃进行常压化学气相沉积，得到一维MoS₂纳米带；所述S和MoO₃分开放置，所述S放置在第一温区，所述MoO₃放置在第二温区；所述氮气的流通方向为由S流向MoO₃；所述常压化学气相沉积依次包括六个阶段，具体为第一阶段、第二阶段、第三阶段、第四阶段、第五阶段和第六阶段，在所述第一阶段，对MoO₃进行升温处理，起始温度为室温，终止温度为280～320℃，升温速率为13～17℃/min；对S进行恒温处理，温度为78～82℃；在所述第二阶段，对MoO₃进行恒温处理，温度为280～320℃；对S进行恒温处理，温度为78～82℃；所述第二阶段的时间为28～32min；在所述第三阶段，对MoO₃进行升温处理，起始温度为280～320℃，终止温度为730～770℃，升温速率为10～15℃/min；对S进行恒温处理，温度为78～82℃；在所述第四阶段，对MoO₃进行恒温处理，温度为730～770℃，时间为10～14min；在第四阶段的前5～7min，对S进行恒温处理，温度为78～82℃，在第四阶段的后5～7min，对S进行升温处理，升温速率为23～27℃/min；在所述第五阶段，对所述第二温区进行降温处理，起始温度为730～770℃，终止温度为530～570℃，降温速率为8～12℃/min；对所述第一温区进行恒温处理，温度为200～250℃；在所述第六阶段，对所述第二温区进行降温处理，起始温度为530～570℃，终止温度为室温，降温速率为20～25℃/min；对所述第一温区进行降温处理，降温速率为20～25℃/min，终止温度为室温；在常压化学气相沉积过程中，无需使用催化剂。