[发明专利]制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201811451762.8 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110098123A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 沈铉准;徐元吾;金善政;朴起演 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造半导体器件的方法可以包括在基板上形成鳍型结构、使用第一工艺在鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜、使用与第一工艺不同的第二工艺在界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜、以及使用与第一工艺和第二工艺不同的第三工艺使栅极电介质膜致密化。第二厚度可以大于第一厚度，并且在栅极电介质膜的致密化之后，界面膜的第一厚度可以不变。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极电介质膜 界面膜 半导体器件 鳍型结构 致密化 基板 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成鳍型结构；使用第一工艺在所述鳍型结构上形成具有第一厚度的界面膜；使用与所述第一工艺不同的第二工艺在所述界面膜上形成具有第二厚度的栅极电介质膜，其中所述第二厚度大于所述第一厚度；以及使用与所述第一工艺和所述第二工艺不同的第三工艺使所述栅极电介质膜致密化，其中在所述栅极电介质膜的致密化之后，所述界面膜的所述第一厚度不变。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
