[发明专利]一种基于包络跟踪技术的5G GaAs射频功率放大器在审
| 申请号： | 201811439987.1 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109639242A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;陈杰;梁绪亮 | 申请（专利权）人： | 汪洋 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/193;H03F3/21 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 胡定华 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于包络跟踪技术的5G GaAs射频功率放大器，包括射频输入端与射频输出端，射频输入端连接有延时调节电路，延时调节电路的另一端连接有Q1‑Q3共射极晶体管，Q1‑Q3共射极晶体管的集电极连接有包络跟踪器，包络跟踪器另一端连接有包络检波电路，包络检波电路的另一端与射频输入端相连，本发明通过在5G GaAs射频功率放大器的Q1‑Q3共射极晶体管的集电极加入包络跟踪器和包络检波电路，以及在Q1‑Q3共射极晶体管的基极加入延时调节电路，有效地对不同射频输入功率精细化的调节集电极供电电压，从而显著地提高了5G GaAs射频功率放大器的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 包络跟踪 射频功率放大器 共射极晶体管 包络检波电路 延时调节电路 射频输入端 一端连接 集电极 射频输入功率 集电极连接 射频输出端 供电电压 精细化 有效地 | ||
【主权项】：
1.一种基于包络跟踪技术的5G GaAs射频功率放大器，包括射频输入端（1）与射频输出端（2），其特征在于：所述射频输入端（1）连接有延时调节电路（3），所述延时调节电路（3）的另一端连接有Q1‑Q3共射极晶体管（4），所述Q1‑Q3共射极晶体管（4）包括Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7），所述Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7）从左向右依次串联，所述Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7）的集电极相连形成Q1‑Q3共射极晶体管（4）的集电极，所述Q1‑Q3共射极晶体管（4）的集电极连接有包络跟踪器（8），所述包络跟踪器（8）另一端连接有包络检波电路（9），所述包络检波电路（9）的另一端与射频输入端（1）相连，所述Q3共射极晶体管（7）的集电极与射频输出端（2）相连，所述Q1共射极晶体管（5）、Q2共射极晶体管（6）、Q3共射极晶体管（7）的发射极共同接地。
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