[发明专利]一种消除CVD反应腔室内表层沉积膜的方法

摘要

本发明涉及沉积膜消除的技术领域，特别是涉及一种消除CVD反应腔室内表层沉积膜的方法，其可以减少生长金刚石表面的杂质，减少对金刚石样品表面薄膜的生长和表面状态的影响，减少资源浪费和对反应效果的影响；包括以下步骤：（1）冲洗内壁；（2）内壁预处理；（3）选择衬底；（4）衬底清洗；（5）衬底处理；（6）衬底预处理；（7）冷却；（8）金刚石生长；（9）冷却；（10）检测。

主权项

1.一种消除CVD反应腔室内表层沉积膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）冲洗内壁：使用高温高压蒸汽冲击浸润CVD反应腔室内壁，将其内壁沉积的沉积膜全部冲下；（2）内壁预处理：对CVD反应腔室内壁进行预处理，提高CVD反应腔室内壁表面的光滑度；（3）选择衬底：选择质量较高、大小合适的无明显瑕疵的超薄金刚石作为衬底；（4）衬底清洗：使用丙酮清洗液对金刚石衬底进行清洗，并烘干备用；（5）衬底处理：对金刚石衬底上下两个表面进行均匀的研磨，提高衬底上下两个表面的生长附着能力；（6）衬底预处理：在对金刚石进行生长前，首先将衬底温度升温至800‑850℃，并通入氢气对研磨后的金刚石衬底表面进行预处理；（7）冷却：在预处理过程中，不断在CVD反应腔室内壁上喷洒冷却水，使CVD反应腔室内壁温度降低，同时维持金刚石衬底温度保持恒定；（8）金刚石生长：使衬底温度升高至1000‑1100℃，并向CVD反应腔室通入反应气体，使金刚石晶体在金刚石衬底上开始生长；（9）冷却：在金刚石生长过程中，不断在CVD反应腔室内壁上喷洒冷却水，使CVD反应腔室内壁温度降低，同时维持金刚石衬底温度保持恒定；（10）检测：将生长完成后的金刚石取出，并检测其生长状态和表面状态，同时检测其表面是否存在杂质。