[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201811421769.5 | 申请日: | 2018-11-26 |
公开(公告)号: | CN109848587B | 公开(公告)日: | 2022-05-17 |
发明(设计)人: | 池静实 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | B23K26/53 | 分类号: | B23K26/53;H01L21/304;H01L21/78 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 乔婉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 提供晶片的加工方法,将由玻璃基板构成的晶片分割成各个芯片而不降低器件的品质。晶片的加工方法将由玻璃基板构成的晶片(10)沿着分割预定线(12)分割成各个芯片,其中,晶片的加工方法包含如下工序:盾构隧道形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB1)的聚光点(P1)定位于与分割预定线对应的区域而进行照射,沿着分割预定线形成由细孔(101)和围绕细孔的变质区域(102)构成的多个盾构隧道(100);改质层形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线(LB2)的聚光点(P2)定位于与分割预定线对应的区域而进行照射,在形成盾构隧道的基础上形成改质层(110);以及分割工序,对晶片赋予外力而将晶片分割成各个芯片。 | ||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种晶片的加工方法,将由玻璃基板构成的晶片沿着交叉形成的多条分割预定线分割成各个芯片,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:盾构隧道形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的第一脉冲激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片内部的区域而进行照射,沿着该分割预定线形成由细孔和围绕该细孔的变质区域构成的多个盾构隧道;改质层形成工序,将对于晶片具有透过性的波长的第二脉冲激光光线的聚光点定位于与分割预定线对应的晶片内部的区域而进行照射,在形成该盾构隧道的基础上形成改质层;以及分割工序,对晶片赋予外力而将晶片分割成各个芯片。
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