[发明专利]基于Si-Si-Si-玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器及制造工艺有效
| 申请号： | 201811409424.8 | 申请日： | 2018-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN109485011B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 焦海龙;郭伟龙;杨挺;郝文昌;金小锋;尹玉刚 | 申请（专利权）人： | 北京遥测技术研究所;航天长征火箭技术有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02;G01L1/14;G01L1/18 |
| 代理公司： | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人： | 张辉 |
| 地址： | 100076 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于Si‑Si‑Si‑玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器及制造工艺，该MEMS谐振式压力传感器从顶到底的顺序是Si压力敏感层、Si谐振器层、Si坑槽衬底层、玻璃坑槽衬底层，Si压力敏感层与Si谐振器层、Si谐振器层与Si坑槽衬底层采用Si‑Si键合工艺键合；Si坑槽衬底层与玻璃坑槽衬底层采用Si‑玻璃阳极键合工艺键合。其中Si压力敏感层与Si谐振器层之间有第一SiO |
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| 搜索关键词： | 基于 si 玻璃 晶圆键合 技术 mems 谐振 压力传感器 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.基于Si‑Si‑Si‑玻璃晶圆键合技术的MEMS谐振压力传感器，其特征在于：所述MEMS谐振式压力传感器从顶到底的顺序是Si压力敏感层(100)、Si谐振器层(300)、Si坑槽衬底层(500)、玻璃坑槽衬底层(600)，Si压力敏感层(100)与Si谐振器层(300)、Si谐振器层(300)与Si坑槽衬底层(500)采用Si‑Si键合工艺键合；Si坑槽衬底层(500)与玻璃坑槽衬底层(600)采用Si‑玻璃阳极键合工艺键合；其中Si压力敏感层(100)与Si谐振器层(300)之间有第一SiO2层(200)，Si谐振器层(300)与Si坑槽衬底层(500)之间有第二SiO2层(400)。
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