[发明专利]一种硫化镉纳米片的制备方法及其应用有效
| 申请号： | 201811389901.9 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109574066B | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 向全军;程蕾;张怀武;廖宇龙;李颉;金立川 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;B82Y40/00;B01J27/04;B01J35/02;B01J37/08;C01B3/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种硫化镉纳米片的制备方法及其应用，属于半导体光催化材料制备技术领域。具体过程：1)将镉盐放置于小坩埚内，盖上锅盖后，放置于大坩埚内；2)在大坩埚内加入硫脲，直到硫脲完全包覆小坩埚；3)将大坩埚盖上锅盖，并放置于马弗炉内进行煅烧，煅烧温度为300℃，保温时间为4h，反应完成后，自然冷却至室温，取出；4)将上步得到的产物研磨、清洗、干燥，即可得到所述硫化镉纳米片。本发明通过将固态前驱体镉盐在硫脲的氛围下一步煅烧得到，制备过程中无需加入任何有机或无机溶液，制备条件温和，操作简便，适合大规模工业化生产，且得到的硫化镉纳米片的光催化产氢活性有显著提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 纳米 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种硫化镉纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、将镉盐放置于小坩埚内，盖上锅盖后，放置于大坩埚内；步骤2、在大坩埚内加入硫脲，直到完全包覆小坩埚；步骤3、将步骤2加入硫脲后的大坩埚盖上锅盖，并放置于马弗炉内进行煅烧，煅烧温度为300℃，保温时间为4h，反应完成后，自然冷却至室温，取出；步骤4、将步骤3得到的产物研磨、清洗、干燥，即可得到所述硫化镉纳米片。
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