[发明专利]3D存储器件的制造方法及3D存储器件有效
| 申请号： | 201811389175.0 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN109712980B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 杨永刚;蒋阳波;徐融;夏余平;张珍珍;郑晓芬;刘开源 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/30 | 分类号： | H10B41/30;H10B41/20;H10B43/30;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;冯丽欣 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种3D存储器件的制造方法及3D存储器件。该3D存储器件的制造方法包括：在衬底上方形成栅叠层结构；形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道孔，向所述多个沟道孔的侧壁和底部沉积沟道层；氧化部分厚度的所述沟道层，以形成氧化层；以及去除所述氧化层，其中，所述氧化层与氧化前的所述沟道层在各位置处的厚度变化趋势相同。该制造方法通过氧化部分厚度的沟道层，可以方便控制沟道层在各处的厚度，以提高沟道层厚度的相似度，避免出现沟道层厚度不均的问题，从而提高3D存储器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上方形成栅叠层结构；形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道孔，向所述多个沟道孔的侧壁和底部沉积沟道层；氧化部分厚度的所述沟道层，以形成氧化层；以及去除所述氧化层，其中，所述氧化层与氧化前的所述沟道层在各位置处的厚度变化趋势相同。
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