[发明专利]3D存储器件的制造方法及3D存储器件

权利要求书

1.一种3D存储器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上方形成栅叠层结构；

形成贯穿所述栅叠层结构的多个沟道孔，向所述多个沟道孔的侧壁和底部沉积沟道层；

氧化部分厚度的所述沟道层，以形成氧化层；以及

去除所述氧化层，

其中，采用热氧化法形成所述氧化层，通过控制氧化时间和不同部位的氧化温度，使位于所述沟道孔的上部侧壁的所述氧化层的厚度与位于所述沟道孔的下部侧壁的所述氧化层的厚度不同，使得所述氧化层与氧化前的所述沟道层在各位置处的厚度变化趋势相同。

2.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：在所述多个沟道孔的侧壁形成阻挡层、存储层和隧穿层，所述阻挡层、存储层和隧穿层位于所述沟道孔的侧壁与所述沟道层之间。

3.根据权利要求1所述的制造方法，还包括：在所述多个沟道孔底部形成外延层，所述外延层与所述沟道层邻接。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述栅叠层结构形成于衬底上方，所述栅叠层结构包括交替堆叠的多个栅极导体层和多个层间绝缘层，所述外延层延伸至所述衬底。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其中，位于所述沟道孔的上部侧壁的所述沟道层厚度大于位于所述沟道孔的下部侧壁的所述沟道层厚度。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其中，位于所述沟道孔的上部侧壁的所述氧化层厚度大于位于所述沟道孔的下部侧壁的所述氧化层厚度。

7.根据权利要求5所述的制造方法，其中，位于所述沟道孔的上部侧壁的所述氧化层厚度与位于所述沟道孔的下部侧壁的所述氧化层厚度的差值等于位于所述沟道孔上部的所述沟道层厚度与位于所述沟道孔的下部侧壁的所述沟道层厚度的差值。

8.根据权利要求1所述的制造方法，去除所述氧化层之后，还包括：去除部分厚度的所述沟道层。

9.根据权利要求8所述的制造方法，其中，残留的所述沟道层的厚度是均匀的。

10.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述沟道层包括多晶硅，所述氧化层包括氧化多晶硅。

11.根据权利要求1所述的制造方法，其中，去除所述氧化层的方法包括：将所述沟道层作为停止层，采用湿法蚀刻的方法，去除所述氧化层，蚀刻溶剂包括DHF溶液。

12.根据权利要求8所述的制造方法，其中，去除部分厚度的所述沟道层的方法包括：采用湿法蚀刻的方法，通过控制蚀刻时间，去除部分厚度的所述沟道层，蚀刻溶剂包括TMAH溶液或ADM溶液。

13.一种3D存储器件，包括：

衬底和形成于所述衬底上方的栅叠层结构；

贯穿所述栅叠层结构的多个沟道孔；

覆盖在所述多个沟道孔的侧壁和底部的沟道层；

其中，部分厚度的所述沟道层被氧化而形成待去除的氧化层，所述氧化层采用热氧化法形成，通过控制氧化时间和不同部位的氧化温度，使位于所述沟道孔的上部侧壁的所述氧化层的厚度与位于所述沟道孔的下部侧壁的所述氧化层的厚度不同，使得所述氧化层与氧化前的所述沟道层在各位置处的厚度变化趋势相同。