[发明专利]一种氧化钒单晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811383414.1 | 申请日： | 2018-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN109207927B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 罗震林;杨远俊;洪宾;高琛 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;C30B25/06;C30B29/16;C30B29/64 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氧化钒单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)磁控溅射的准备工作；B)对样品台进行加热，再通入氧气和氩气，调节真空腔的压力；C)采用射频电源对金属钒靶起辉以产生等离子体，预溅射后进行正式溅射；D)溅射结束后依次关闭射频电源、氧气、挡板阀、分子泵和机械泵，再进行退火处理，得到氧化钒单晶薄膜。本发明可精准可控制备、大尺寸、高质量的各种晶相的氧化钒单晶薄膜。本发明极大的简化了可控制备高质量大面积氧化钒单晶薄的工艺，大幅降低了制备成本，为氧化钒薄膜在光电探测、相变存储、激光防护等领域的应用打破了产业瓶颈。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 钒单晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化钒单晶薄膜的制备方法，包括以下步骤：A)将金属钒靶装入磁控溅射设备的永磁铁射频枪或直流枪上，将衬底清洗后固定于旋转的样品台上，将磁控溅射设备的真空腔抽真空；B)对样品台进行加热，再通入氧气和氩气，调节真空腔的压力；C)采用射频电源对金属钒靶起辉以产生等离子体，预溅射后进行正式溅射；D)溅射结束后依次关闭射频电源、氧气、挡板阀、分子泵和机械泵，再进行退火处理，得到氧化钒单晶薄膜。
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