[发明专利]一种CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液有效
申请号: | 201811383246.6 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN109536962B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 茅丹;张洪涛;刘海滨;张娟娟;谭化兵;季恒星 | 申请(专利权)人: | 无锡格菲电子薄膜科技有限公司 |
主分类号: | C23F1/18 | 分类号: | C23F1/18;C23C16/02 |
代理公司: | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人: | 聂启新 |
地址: | 214000 江苏省无锡市惠山经*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液,包括:过氧化氢、无机酸、表面活性剂、螯合掺杂剂。过氧化氢和无机酸共同作用刻蚀铜箔,螯合掺杂剂与铜离子作用形成络合物并溶于水中,表面活性剂将异物、杂质去除。所述酸性刻蚀液还包括刻蚀稳定剂,刻蚀稳定剂能有效抑制过氧化氢的过快分解。所述刻蚀液能在短时间内将铜箔进行刻蚀,得到方阻均匀性较好的石墨烯。 | ||
搜索关键词: | 一种 cvd 石墨 生长 衬底 铜箔 酸性 刻蚀 | ||
【主权项】:
1.一种CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液,其特征在于,包括:过氧化氢、无机酸、表面活性剂和螯合掺杂剂,其中,每升酸性刻蚀液中含有的组分为:5‑50g的过氧化氢,5‑50g的无机酸,5‑100mg的表面活性剂,0.5‑5g的螯合掺杂剂。
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