[发明专利]一种CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液

权利要求书

1.一种CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，包括：过氧化氢、无机酸、表面活性剂和螯合掺杂剂，其中，每升酸性刻蚀液中含有的组分为：15-40g的过氧化氢，15-40g的无机酸，10-50mg的低泡表面活性剂，1-4g的螯合掺杂剂；

所述酸性刻蚀液还包括刻蚀稳定剂，每升酸性刻蚀液中含有1-4g的刻蚀稳定剂；

所述表面活性剂包括EO/PO嵌段聚醚、脂肪酸甲酯乙氧基化物FMEE、异辛醇磷酸酯、异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯中一种或两种以上复配；

所述螯合掺杂剂包括EDTA钠盐、二乙烯三胺五乙酸五钠、有机磷酸盐、咪唑及其衍生物、三氮唑及其衍生物、四氮唑及其衍生物；

所述刻蚀稳定剂为具有螯合性质的化合物、带有磺酸基的有机化合物、含有极性氢原子功能团的有机化合物或者含有不饱和键的有机化合物，包含二醇、二酸、有机膦酸、有机磺酸类化合物中的一种或两种以上的组合。

2.根据权利要求1所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述无机酸包括盐酸、氢氟酸、硫酸或硝酸中的一种或者两种以上复配。

3.根据权利要求1所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述无机酸为盐酸或硫酸。

4.根据权利要求1所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述无机酸来自质量浓度为31wt％的盐酸溶液。

5.根据权利要求1所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述无机酸来自质量浓度为35wt％的硫酸溶液。

6.根据权利要求1所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述过氧化氢来自质量浓度为27wt％的双氧水溶液。

7.根据权利要求1-2中任一项所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，每升酸性刻蚀液中含有25-35g的无机酸；

每升酸性刻蚀液中含有25-35g的过氧化氢。

8.根据权利要求1-2中任一项所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述表面活性剂为EO/PO嵌段聚醚。

9.根据权利要求1-2中任一项所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述表面活性剂为巴斯夫Pl urafac LF系列、Lutenso l TO系列。

10.根据权利要求1-2中任一项所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，每升酸性刻蚀液中含有20-35mg的表面活性剂。

11.根据权利要求1-2中任一项所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述螯合掺杂剂选自有机磷酸盐、咪唑及其衍生物、三氮唑及其衍生物、四氮唑及其衍生物。

12.根据权利要求1-2中任一项所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述螯合掺杂剂选自伊塔玛DEQUEST系列膦酸盐、2-甲基咪唑、苯并三氮唑、5-苯基四氮唑。

13.根据权利要求1-2中任一项所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述酸性刻蚀液还包括醇类。

14.根据权利要求13所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，所述醇类为叔丁醇；所述叔丁醇与所述螯合掺杂剂的质量比为20:1。

15.根据权利要求1-2中任一项所述的CVD石墨烯生长衬底铜箔酸性刻蚀液，其特征在于，每升酸性刻蚀液中含有1 .5-3 .5g的螯合掺杂剂。