[发明专利]掩膜组件及套准量测方法在审
申请号: | 201811379700.0 | 申请日: | 2018-11-20 |
公开(公告)号: | CN111198478A | 公开(公告)日: | 2020-05-26 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F1/44 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种掩膜组件及套准量测方法,掩膜组件包括:第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜,第一掩膜内形成有第一标记图形,第一标记图形包括第一主标记图形及第二主标记图形;第二掩膜内形成有第二标记图形,第二标记图形对应于第一标记图形的一侧,且与第一标记图形具有间距;第二标记图形包括第三主标记图形及第四主标记图形;第三掩膜内形成有第三标记图形,第三标记图形包括第五主标记图形、第六主标记图形、第七主标记图形及第八主标记图形。本发明的掩膜组件中的标记图形可以减小标记图形在晶圆上所占的面积;同时在光刻后进行套准量测时还可以显著降低所需量测的次数,提高套准量测的效率。 | ||
搜索关键词: | 组件 套准量测 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备