[发明专利]掩膜组件及套准量测方法

说明书

本发明提供一种掩膜组件及套准量测方法，掩膜组件包括：第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜，第一掩膜内形成有第一标记图形，第一标记图形包括第一主标记图形及第二主标记图形；第二掩膜内形成有第二标记图形，第二标记图形对应于第一标记图形的一侧，且与第一标记图形具有间距；第二标记图形包括第三主标记图形及第四主标记图形；第三掩膜内形成有第三标记图形，第三标记图形包括第五主标记图形、第六主标记图形、第七主标记图形及第八主标记图形。本发明的掩膜组件中的标记图形可以减小标记图形在晶圆上所占的面积；同时在光刻后进行套准量测时还可以显著降低所需量测的次数，提高套准量测的效率。

技术领域

本发明属于集成电路制造技术领域，特别是涉及一种掩膜组件及套准量测方法。

背景技术

在现有的半导体工艺中，在进行多层光刻工艺时，需要将各层之间进行套准量测以确定层与层之间是否对准。最常用的方法为通过在各层中形成用于对准的图形标记，通过对图形标记的量测来判断层与层之间是否有偏移。此外，用于对准的图形标记中一般需要有用于检测第一方向是否有偏移的第一主图形标记以及用于检测第二方向是否有偏移的第二主图形标记。然而，现有用于对准的图形标记中，第一主图形标记及第二主图形标记的数量一般均至少为两个，这就使得现有的图形标记的尺寸比较大，会占用晶圆较大的区域；同时，在进行套准量测时还存在量测次数较多，工作量较大，套准量测效率低等问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种掩膜组件及套准量测方法，用于解决现有技术中用于对准的图形标记存在的尺寸较大，占用较大的晶圆区域的问题，以及套准量测时量测次数较多，工作量较大，套准量测效率低的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种掩膜组件，所述掩膜组件包括：第一掩膜、第二掩膜及第三掩膜，其中，

所述第一掩膜内形成有第一标记图形，所述第一标记图形包括第一主标记图形及第二主标记图形，所述第一主标记图形与所述第二主标记图形之间具有间距；其中，所述第一主标记图形包括若干个沿第一方向平行间隔排布的第一子标记图形，所述第一子标记图形沿第二方向延伸；所述第二主标记图形包括若干个沿第二方向平行间隔排布的第二子标记图形，所述第二子标记图形沿第一方向延伸，所述第一方向与所述第二方向相垂直；

所述第二掩膜内形成有第二标记图形，所述第二标记图形对应于所述第一标记图形的一侧，且与所述第一标记图形具有间距；所述第二标记图形包括第三主标记图形及第四主标记图形，所述第三主标记图形与所述第四主标记图形之间具有间距；其中，所述第三主标记图形包括若干个沿所述第二方向平行间隔排布的第三子标记图形，所述第三子标记图形沿所述第一方向延伸；所述第四主标记图形包括若干个沿所述第一方向平行间隔排布的第四子标记图形，所述第四子标记图形沿所述第二方向延伸；及

所述第三掩膜内形成有第三标记图形，所述第三标记图形包括第五主标记图形、第六主标记图形、第七主标记图形及第八主标记图形；其中，所述第五主标记图形对应于所述第一主标记图形与所述第三主标记图形之间，所述第五主标记图形包括若干个沿所述第一方向平行间隔排布的第五子标记图形，所述第五子标记图形沿所述第二方向延伸；所述第六主标记图形对应于所述第三主标记图形与所述第四主标记图形之间，所述第六主标记图形包括若干个沿所述第二方向平行间隔排布的第六子标记图形，所述第六子标记图形沿所述第一方向延伸；所述第七主标记图形对应于所述第一主标记图形与所述第二主标记图形之间，所述第七主标记图形包括若干个沿所述第二方向平行间隔排布的第七子标记图形，所述第七子标记图形沿所述第一方向延伸；所述第八主标记图形对应于所述第二主标记图形与所述第四主标记图形之间，所述第八主标记图形包括若干个沿所述第一方向平行间隔排布的第八子标记图形，所述第八子标记图形沿所述第二方向延伸。