[发明专利]功率合成和Envelope injection的5G CMOS射频功率放大器有效
申请号: | 201811374205.0 | 申请日: | 2018-11-19 |
公开(公告)号: | CN109660211B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 汪洋;陈杰;梁绪亮 | 申请(专利权)人: | 汪洋 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213;H03F3/45 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 胡定华 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明的目的是提供一种功率合成和Envelope injection的5G CMOS射频功率放大器,主体架构包括输入巴伦、级间匹配网络、两个功率级差分放大器、PCT功率合成器;而Envelope injection偏置电路的作用是通过检测输入信号,判断当包络信号超过某一预定的值时,增加偏置电压,这种结构可以很好的避免了传统中因偏置电压未能完全跟随包络变化,从而导致因跟随包络延时降低线性度的问题。 | ||
搜索关键词: | 功率 合成 envelope injection cmos 射频 功率放大器 | ||
【主权项】:
1.一种功率合成和Envelope injection的5G CMOS射频功率放大器,其特征在于:包括有包括输入巴伦、级间匹配网络、第一级放大器、第二级放大器、两个功率级差分放大器、PCT功率合成器和Envelope injection偏置电路;输入巴伦的两端接第一级放大器的输入端,经级间匹配后与第二级放大器的输入端连接,第二级放大器的输出经级间匹配后分别接到两路功率级差分放大器,最后由功率合成器将功率传输至负载;输入巴伦输入射频信号;Envelope injection偏置电路的输入端接射频输入信号,输出端接两个功率级差分放大器的偏置端,作为其偏置电压。
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