[发明专利]功率合成和Envelope injection的5G CMOS射频功率放大器有效
| 申请号： | 201811374205.0 | 申请日： | 2018-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN109660211B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 汪洋;陈杰;梁绪亮 | 申请（专利权）人： | 汪洋 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213;H03F3/45 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 胡定华 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 合成 envelope injection cmos 射频 功率放大器 | ||
1. 一种功率合成和Envelope injection的5G CMOS射频功率放大器，其特征在于：包括有包括输入巴伦、级间匹配网络、第一级放大器、第二级放大器、两个功率级差分放大器、PCT功率合成器和Envelope injection偏置电路；输入巴伦的两端接第一级放大器的输入端，经级间匹配后与第二级放大器的输入端连接，第二级放大器的输出经级间匹配后分别接到两路功率级差分放大器，最后由功率合成器将功率传输至负载；输入巴伦输入射频信号；Envelope injection偏置电路的输入端接射频输入信号，输出端接两个功率级差分放大器的偏置端，作为其偏置电压；所述PCT功率合成器为片上PCT变压器结构，包括两个主线圈和一个次线圈，以及与线圈并联的调谐电容；所述Envelope injection偏置电路为提升线性功率的包络检测电路，其包括有：NMOS：M1、M2；PMOS：M3，电阻R1、R2、R3、R4，电容C1、C2、C3；M2和M3并联连接在M1的输出端，M1和M3之间连接有并联的R2和C2，M1输入端连接有并联的R1和C1，M2和M3的输出端连接有R4，M2和M3的输出端还连接有并联的R3和C3；所述C1的输入端连接接射频输入信号， M2和M3的输出端连接两个功率级差分放大器的偏置端。
2. 如权利要求1所述功率合成和Envelope injection的5G CMOS射频功率放大器，其特征在于：所述输入巴伦两端均并联电容。
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