[发明专利]可提高量子阱光吸收率的激光器及其制备方法有效
| 申请号： | 201811368409.3 | 申请日： | 2018-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN109449759B | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 郭志友;张骏;孙慧卿 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/34 | 分类号： | H01S5/34;H01S5/343 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种可提高量子阱光吸收率的激光器及其制备方法，其激光器包括：依次层叠于n型GaN衬底上的n型金属层、n型GaN缓冲层、n型下限制层、n型下波导层、量子阱层、p型上波导层、p型上限制层、p型GaN接触层、p型金属层，其中，在所述量子阱层中周期排列有洋葱状的碳小球。所述洋葱状的碳小球直径为0.7‑1.0nm。本发明通过将周期性排列的洋葱状的碳小球设置于量子阱中，形成表面等离子激元效应，从而对泵浦源对应波长形成吸收增强，而特定波长的吸收增强不会对产生的激光形成影响。对泵浦光的利用率增加使得有源区的焦耳热大幅降低，有效地延长了激光器的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 量子 吸收率 激光器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.可提高量子阱光吸收率的激光器，其包括：依次层叠于n型GaN衬底上的n型金属层、n型GaN缓冲层、n型下限制层、n型下波导层、量子阱层、p型上波导层、p型上限制层、p型GaN接触层、p型金属层，其中，在所述量子阱层中周期排列有洋葱状的碳小球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学，未经华南师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811368409.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
