[发明专利]极紫外掩模制造法、提供监控宏的方法及光学邻近校正法

摘要

本发明涉及EUV掩模制造方法、提供监控宏的方法及光学邻近校正方法。在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的EUV掩模的方法包括：考虑由EUV曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与第一监控宏基本相同；输入通过OPC获取的掩模流片(MTO)设计数据；准备包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于MTO设计数据的掩模相关信息命令文本中的至少一个的掩模数据；以及基于掩模数据对掩模基板执行EUV曝光(写入)。

主权项

1.一种在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的极紫外掩模的方法，所述方法包括：考虑由所述极紫外曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与所述第一监控宏基本相同；输入通过所述光学邻近校正获取的掩模流片(MTO)设计数据；准备掩模数据，所述准备掩模数据包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于掩模流片设计数据的掩模相关信息命令文本的增强中的至少一个；以及基于所述掩模数据对所述掩模基板执行极紫外曝光。