[发明专利]极紫外掩模制造法、提供监控宏的方法及光学邻近校正法

说明书

本发明涉及EUV掩模制造方法、提供监控宏的方法及光学邻近校正方法。在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的EUV掩模的方法包括：考虑由EUV曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与第一监控宏基本相同；输入通过OPC获取的掩模流片(MTO)设计数据；准备包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于MTO设计数据的掩模相关信息命令文本中的至少一个的掩模数据；以及基于掩模数据对掩模基板执行EUV曝光(写入)。

技术领域

实施方式涉及用于光刻的极紫外(EUV)掩模和相关方法。

背景技术

半导体器件制造工艺期间的光刻工艺是通过将光照射到涂覆在基板上的光敏膜上而形成电路图案的技术。可以使用深紫外(DUV)光源作为光源。此外，正在研究使用诸如EUV射线、电子束、X射线和离子束的光源的工艺，并且正在开发EUV射线和电子束曝光工艺。

发明内容

实施方式涉及一种在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的EUV掩模的方法，该方法包括：考虑由EUV曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏(monitoring macro)；使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与第一监控宏基本相同；输入通过OPC获取的掩模流片(MTO)设计数据；准备包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于MTO设计数据的掩模相关信息命令文本(job-deck)中的至少一个的掩模数据；以及基于掩模数据对掩模基板执行EUV曝光(写入)。

实施方式还涉及一种提供监控宏的方法，该方法包括：通过对样本宏执行第一模拟而生成第一模拟模型，样本宏包括彼此间隔开地布置的多个图案阵列，每个图案阵列包括多个图案；通过对样本宏执行与第一模拟不同的第二模拟而生成第二模拟模型；将第一模拟模型和第二模拟模型相互比较；以及通过选择样本宏的所述多个图案中的至少一些而构建监控宏。

实施方式还涉及一种光学邻近校正(OPC)方法，该方法包括：考虑由极紫外(EUV)曝光工艺中使用的狭缝引起的像差(aberration)，构建第一监控宏；生成包括多个第二监控宏的EUV掩模设计布局的OPC模型，其中所述多个第二监控宏的每个与第一监控宏基本相同；以及校正OPC模型。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施方式，特征对本领域技术人员将变得明显，附图中：

图1示出监控宏以间隔布置的一示例实施方式的布局图；

图2示出根据一示例实施方式的提供监控宏的方法的流程图；

图3A和3B示出根据一示例实施方式的提供监控宏的方法的布局图；

图4A和4B示出根据一示例实施方式的提供监控宏的方法的效果的曲线图；

图5A示出使用极紫外(EUV)掩模的曝光工艺中的阴影的剖视图；

图5B示出入射于EUV掩模的光的概念图，以描述EUV曝光工艺中发生像差的原因；

图6示出根据一示例实施方式的光学邻近校正(OPC)方法的流程图；

图7A至7D示出根据一示例实施方式的OPC方法的布局图；

图8和9示出根据一示例实施方式的EUV掩模制造方法的流程图；以及

图10示出根据一示例实施方式的半导体器件制造方法的流程图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细描述示例实施方式。这里，同样的附图标记将表示同样的元件，并且为了简洁，将省略其多余的描述。