[发明专利]极紫外掩模制造法、提供监控宏的方法及光学邻近校正法

权利要求书

1.一种在掩模基板上制造用于极紫外(EUV)曝光工艺的极紫外掩模的方法，所述方法包括：

考虑由所述极紫外曝光工艺中使用的狭缝造成的影响，构建第一监控宏；

使用多个第二监控宏执行光学邻近校正(OPC)，其中所述多个第二监控宏的每个与所述第一监控宏基本相同；

输入通过所述光学邻近校正获取的掩模流片(MTO)设计数据；

准备掩模数据，所述准备掩模数据包括数据格式转换、掩模工艺校正(MPC)和用于掩模流片设计数据的掩模相关信息命令文本的增强中的至少一个；以及

基于所述掩模数据对所述掩模基板执行极紫外曝光。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在所述掩模流片设计数据中，所述多个第二监控宏布置在与所述极紫外掩模的划片槽对应的区域上。

3.如权利要求2所述的方法，其中所述多个第二监控宏在一个方向上彼此间隔开并且以相等的间隔布置。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述一个方向是所述极紫外曝光工艺中使用的所述狭缝的大体延伸方向。

5.一种提供监控宏的方法，所述方法包括：

通过对样本宏执行第一模拟而生成第一模拟模型，所述样本宏包括彼此间隔开地布置的多个图案阵列，每个图案阵列包括多个图案；

通过对所述样本宏执行与所述第一模拟不同的第二模拟而生成第二模拟模型；

将所述第一模拟模型和所述第二模拟模型相互比较；以及

通过选择所述样本宏的所述多个图案中的至少一些而构建监控宏。

6.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述多个图案阵列每个包括光刻宏和标准单元中的至少一个。

7.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述多个图案阵列基本上彼此相同。

8.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述监控宏包括线宽和间距图案以及接触图案中的至少一种。

9.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述多个图案阵列在一个方向上彼此间隔开并以相等的间隔布置。

10.如权利要求9所述的提供监控宏的方法，其中所述一个方向是极紫外(EUV)曝光工艺中使用的狭缝大体延伸的方向。

11.如权利要求5所述的提供监控宏的方法，其中所述第一模拟是考虑由极紫外(EUV)曝光工艺中使用的狭缝引起的像差的模拟。

12.如权利要求11所述的提供监控宏的方法，其中所述第二模拟是不考虑由所述狭缝引起的像差的模拟。

13.如权利要求12所述的提供监控宏的方法，其中所述监控宏的构建包括按照所述图案阵列的所述第一模拟模型与所述第二模拟模型之间的临界尺寸差异的降序选择所述多个图案中的一个或更多个。

14.一种光学邻近校正(OPC)方法，所述方法包括：

考虑由极紫外(EUV)曝光工艺中使用的狭缝引起的像差，构建第一监控宏；

生成包括多个第二监控宏的极紫外掩模设计布局的光学邻近校正模型，其中所述多个第二监控宏的每个与所述第一监控宏基本相同；以及

校正所述光学邻近校正模型。

15.如权利要求14所述的光学邻近校正方法，还包括：在所述光学邻近校正模型的校正之后，基于所述多个第二监控宏生成光学邻近校正验证模型，并基于所述光学邻近校正验证模型执行光学邻近校正验证，

其中当执行所述光学邻近校正验证时没有误差时，所述光学邻近校正方法结束。