[发明专利]一种高致密度纯钼选区激光熔化制备方法

摘要

本发明提供一种高致密度纯钼选区激光熔化制备方法，包括如下步骤：在计算机上建立钼板三维实体数值模型；设定激光束的功率、扫描速度、扫描间距和扫描方式；进行3D打印；测定不同成型件的致密度；选出最优工艺参数；本发明通过优化SLM技术的工艺参数，可以获得具有较高致密度、较高表面质量的纯钼成形件，避免了传统的机加工和后处理，节省人力物力，缩短加工周期。利用本发明提供的加工工艺，制备出的纯钼工件，具有良好的室温力学性能，在技术上具有一定的理论研究价值与实际应用价值。

主权项

1.一种高致密度纯钼选区激光熔化制备方法，其特征是，包括如下步骤：步骤一：在计算机上建立钼板三维实体数值模型，然后将所述钼板三维实体数值模型转成STL格式文件输入3D打印编辑软件中，进行二维化处理，在高度方向上对模型分层切片，设定扫描路径并将其导入选区激光熔化设备中；步骤二：设定激光束的功率、扫描速度、扫描间距和扫描方式，所述激光光斑直径为75μm，激光功率为325W，扫描速度为400mm/s，扫描间距为60μm，采用Cross hatching扫描方式，逐层旋转激光扫描方向67°；步骤三：将成形基板固定在选区激光熔化设备的工作台上，关闭仓门，抽真空后充入保护气体；步骤四：成形室气氛准备后，工作台下降，储粉腔体上升，自动铺粉装置利用橡胶刮刀在成形基板上铺设气雾化球形纯钼粉末；步骤五：利用高能热源，按照计算机切片形状和外形轨迹快速扫描，处于松散状态的粉末薄层受激光辐射区域发生熔化、凝固，形成熔覆层；步骤六：完成步骤五中一个切片层面的扫描后，成形基板下降一个切片厚度的距离，并在步骤五所形成的熔覆层上再均匀铺上一层纯钼粉末；步骤七：重复上述步骤五、六，直至加工完成；步骤八：待试样冷却至室温后取出，利用线切割工艺将成形件从成形基板上分离。