[发明专利]一种具有图案化表面的硅结构、制备方法及太阳能电池有效
申请号: | 201811354383.7 | 申请日: | 2018-11-14 |
公开(公告)号: | CN111192932B | 公开(公告)日: | 2021-05-04 |
发明(设计)人: | 揭建胜;丁可;张秀娟 | 申请(专利权)人: | 苏州纳捷森光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/18 |
代理公司: | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人: | 康正德;薛峰 |
地址: | 215123 江苏省苏州市工业园区金*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种具有图案化表面的硅结构、制备方法及太阳能电池。该硅结构包括硅基底,具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;多种硅微结构,所述多种硅微结构具有不同的反射率,每种所述硅微结构包括多个反射率相同的硅微单元,每个所述硅微单元均被构造成在所述硅基底上,并从所述硅基底的所述第一表面向靠近所述第二表面的方向刻蚀预定深度;其中每种所述硅微结构的数量以及所有所述硅微单元在所述硅基底上的排布方式均根据一预设图案来确定,使所有所述硅微单元共同组成的图案在视觉上与所述预设图案保持一致。本发明的方案,可以在不损失明显的光‑电转换的性能的前提下,在硅太阳能电池面板上描绘出任意的灰度图像。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 图案 表面 结构 制备 方法 太阳能电池 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的