[发明专利]一种硅基微显示像素电路在审

专利信息
申请号: 201811343362.5 申请日: 2018-11-13
公开(公告)号: CN109599061A 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 张白雪;秦昌兵;陈啟宏;杨建兵;陈建军 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第五十五研究所
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 南京天华专利代理有限责任公司 32218 代理人: 瞿网兰;徐冬涛
地址: 210016 *** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种硅基微显示像素电路,其特征是它包括驱动管P3、开关管P1、开关管P2、开关管P4、存储电容C1。在不同的工艺偏差下,驱动管P3阈值电压变化时,晶体管P4阻值跟随变化,最终减弱了由于阈值电压漂移带来的OLED两端电压差的变化量。增加了OLED发光的均匀性。在一帧时间内,行选控制信号SEL为高电平时,增加的晶体管P2在VN和VP之间有一个寄生的反向二极管,会使VN点的漏电减小,VN电压相对更稳定。可维持的发光时间更长。
搜索关键词: 开关管 像素电路 驱动管 微显示 晶体管 硅基 发光 阈值电压变化 阈值电压漂移 反向二极管 漏电 存储电容 跟随变化 工艺偏差 控制信号 两端电压 变化量 均匀性 高电 减小
【主权项】:
1.一种硅基微显示像素电路,其特征是:它包括驱动管P3、开关管P1、开关管P2、开关管P4、存储电容C1; 开关管P1的漏极与输入电压源Vdata正向端相连,电压源Vdata负向端与地GND相连;开关管P1的栅极与行选控制信号SEL相连,开关管P1的衬底与电源电压VDD相连,开关管P1的源极与开关管P2的漏极相连;开关管P2的栅极、衬底、源极、电容C1的一端与驱动管P3的栅极相连;驱动管P3的源极、开关管P4的漏极、栅极与电容C1的另一端相连;驱动管P3的衬底与电压源VDD相连,开关管P4的衬底与电压源VDD相连,开关管P4的源极与OLED阴极相连,OLED阳极与公共阳极Vcom相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811343362.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top