[发明专利]一种硅基微显示像素电路

说明书

一种硅基微显示像素电路，其特征是它包括驱动管P3、开关管P1、开关管P2、开关管P4、存储电容C1。在不同的工艺偏差下，驱动管P3阈值电压变化时，晶体管P4阻值跟随变化，最终减弱了由于阈值电压漂移带来的OLED两端电压差的变化量。增加了OLED发光的均匀性。在一帧时间内，行选控制信号SEL为高电平时，增加的晶体管P2在VN和VP之间有一个寄生的反向二极管，会使VN点的漏电减小，VN电压相对更稳定。可维持的发光时间更长。

技术领域

本发明涉及微电子及显示技术领域。尤其是应用于AMOLED硅基微显示驱动芯片的像素电路，具体地说是一种硅基微显示像素电路。

背景技术

有源有机发光二极管（AMOLED）作为新一代显示技术，具有主动发光、视角宽、驱动电压低、发光效率高、响应速度快、功耗低、工作温度适应范围广、体积轻薄并且能够实现柔性显示等特点，具有很广阔的前景。目前的主要应用包括头盔显示器、眼镜式显示；也可用在其他移动终端显示器，比如可穿戴式计算机等移动信息产品提供高画质的视频显示效果，以及应用在一些AR、VR产品中。随着分辨率不断提高，像素尺寸的减小，像素与像素之间由于半导体制造工艺的偏差带来的MOS管的阈值电压的漂移也越发的明显，因此在输入相同的数据信号电压下，每个像素单元的电流大小不同，这会导致同一灰度级在屏的不同位置显示的亮度不均匀。为了提高亮度均匀性，有必要对驱动管阈值电压的漂移进行补偿。同时，在一帧时间内，由于像素单元中存储电容上的电压通过MOS开关不断的漏电，显示亮度也会不断变化，最终均匀性和亮度都会影响OLED显示质量。

发明内容

本发明的目的是针对由于分辨率提高导致OLED显示亮度不均匀的问题，为AMOLED硅基微显示驱动电路提供一种能够改善采用公共阳极制作的AMOLED发光的均匀性以及减小漏电的像素电路，以达到更好的显示效果。

本发明的技术方案是：

一种硅基微显示像素电路，其特征是：它包括驱动管P3、开关管P1、开关管P2、开关管P4、存储电容C1； 开关管P1的漏极与输入电压源Vdata正向端相连，电压源Vdata负向端与地GND相连；开关管P1的栅极与行选控制信号SEL相连，开关管P1的衬底与电源电压VDD相连，开关管P1的源极与开关管P2的漏极相连；开关管P2的栅极、衬底、源极、电容C1的一端与驱动管P3的栅极相连；驱动管P3的源极、开关管P4的漏极、栅极与电容C1的另一端相连；驱动管P3的衬底与电压源VDD相连，开关管P4的衬底与电压源VDD相连，开关管P4的源极与OLED阴极相连，OLED阳极与公共阳极Vcom相连。

所述的开关管P4采用P型MOS管，并且开关管P4连接成二极管形式，改善了因驱动管P3阈值电压漂移带来的不均匀性；驱动管P3阈值电压增大时，开关管管P4电阻值减小，从而减弱了OLED两端电压差VCOM-VO的减小量；驱动管P3阈值电压减小时， 开关管P4电阻值增大，从而减弱了OLED两端电压差VCOM-VO的增大量；最终减弱了由于驱动管P3阈值电压漂移带来的OLED两端电压差的变化量。

所述的开关管P2采用P型MOS管，并连接成二极管形式。

所述的开关管P1为P型MOS管。

所述的驱动管P3为P型MOS管。

本发明的有益效果是：

（1）本发明的像素电路采用晶体管P4连接成二极管形式改善了因驱动管P3阈值电压漂移带来的不均匀性。

（2）本发明采用晶体管P2连接成二极管形式，减小了驱动管P3栅极电容的漏电，稳定了驱动管P3的栅极的电压，使显示亮度的变化得到改善。

附图说明

图1是本发明的像素电路图。

图2是本发明像素电路时序图。

具体实施方式