[发明专利]晶圆切割工艺有效
| 申请号： | 201811340329.7 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109545678B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 沈珏玮;李荣 | 申请（专利权）人： | 紫光宏茂微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683;B23K26/38 |
| 代理公司： | 上海市嘉华律师事务所 31285 | 代理人： | 黄琮;傅云 |
| 地址： | 201700 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆切割工艺，包括以下步骤：提供晶圆，晶圆的正面刻有纵向割道和横向割道，在晶圆的正面贴附研磨胶膜，对晶圆的背面进行研磨，使晶圆减薄至预设厚度，在已减薄后的晶圆的背面贴附背面胶膜，将晶圆通过背面胶膜贴设至晶圆架上，晶圆架用于限制晶圆的移动，去除晶圆架上的晶圆的研磨胶膜，在已去除研磨胶膜的晶圆的正面进行激光灼刻，以在晶圆的正面形成多个参考凹槽，多个参考凹槽围绕形成多边形区域，根据纵向割道和横向割道对晶圆进行切割，根据多边形区域摘取芯片。本发明公开的晶圆切割工艺可准确的标记出正面参考点的位置，提高晶圆的切割准确度，避免不合格芯片产品掺杂到合格产品中。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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