[发明专利]一种高度透明导电的p型碘化亚铜薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201811335104.2 | 申请日： | 2018-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN109368685A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 魏浩铭;王明绪;隽方蓥;曹丙强 | 申请（专利权）人： | 曲阜师范大学;济南汇喆新能源科技有限公司 |
| 主分类号： | C01G3/04 | 分类号： | C01G3/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 | 代理人： | 于鹏 |
| 地址： | 273165 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高度透明导电的p型碘化亚铜薄膜的制备方法，属于透明导电薄膜材料制备和p型半导体材料应用领域。其特征在于工艺步骤如下：(1)通过热蒸发法，可在玻璃、塑料等基底表面上生长各种厚度的铜膜；(2)通过室温溶液法，利用碘的乙醇溶液将铜膜碘化，制备高度透明导电的p型碘化亚铜薄膜。本发明所述制备方法具有效率高、成本低、可大批量生产等优点，所制备的碘化亚铜薄膜具有透明度高、导电性好、可传输空穴载流子等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 碘化亚铜 薄膜 透明导电 铜膜 透明导电薄膜材料 空穴载流子 室温溶液法 导电性 工艺步骤 基底表面 热蒸发法 乙醇溶液 可传输 碘化 透明度 玻璃 塑料 生长 生产 | ||
【主权项】：
1.一种高度透明导电的p型碘化亚铜薄膜的制备方法，其特征在于其工艺步骤如下：(a)通过热蒸发法，可在玻璃、塑料等基底表面上生长各种厚度的铜膜(5～800nm)；(b)通过室温溶液法，利用碘的乙醇溶液将铜膜碘化，制备高度透明导电的p型碘化亚铜薄膜。
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