[发明专利]电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法及装置在审
| 申请号： | 201811333874.3 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109580320A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 祝飘;郭之军;蒋飚;陈文强;吴昌明;向贵贞;刘帮伟;宋同彬 | 申请（专利权）人： | 贵州威顿晶磷电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/38 | 分类号： | G01N1/38;G01N1/44;G01N21/73 |
| 代理公司： | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 谷庆红 |
| 地址： | 550000 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及痕量检测技术领域，具体涉及电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法及装置，前处理方法是先利用高纯HF处理电子级正硅酸乙酯待测样品，待气体释放完毕后，加入高纯硝酸处理；前处理装置包括样品处理室和排风装置，排风装置连接于样品处理室顶部。本发明的装置结构简单、样品处理速度快、操作简便、分析结果干扰性小、重现性好以及检出限低。 | ||
| 搜索关键词： | 正硅酸乙酯 电子级 前处理 样品处理室 痕量杂质 排风装置 前处理装置 待测样品 高纯硝酸 痕量检测 气体释放 样品处理 装置结构 干扰性 检出限 重现性 高纯 分析 | ||
【主权项】：
1.电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，先利用高纯HF处理电子级正硅酸乙酯待测样品，加热恒温处理，待气体释放完毕后，再加入高纯硝酸恒温加热处理。
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