[发明专利]电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法及装置

权利要求书

1.电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，先利用高纯HF处理电子级正硅酸乙酯待测样品，加热恒温处理，待气体释放完毕后，再加入高纯硝酸恒温加热处理。

2.如权利要求1所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)取电子级正硅酸乙酯待测样品与高纯HF按质量体积比(5-10):1的比例混合均匀，待待测样品为粘稠状物后，再补加高纯HF，至电子级正硅酸乙酯待测样品与高纯HF的质量体积比1:(1-1.5)；

2)将步骤1)所得物经加热恒温处理，待气体排放完毕，按电子级正硅酸乙酯待测样品与高纯HNO₃的质量体积比为(4.5-5.5):1加入高纯HNO₃，加热恒温处理至液体挥发完全后，按高纯HNO₃与电子级正硅酸乙酯待测样品的质量比为(4.5-5.5):1加入高纯HNO₃，定容，上机分析。

3.如权利要求1或2所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，所述高纯HF，其纯度≥99.9999999％。

4.如权利要求1或2所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，所述高纯HNO₃，其纯度≥99.9999999％。

5.如权利要求1或2所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法，其特征在于，所述加热恒温处理的温度为100-120℃。

6.用于如权利要求1所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法的装置，其特征在于，包括样品处理室(1)和排风装置(4)；排风装置(4)连接于样品处理室(1)顶部。

7.如权利要求6所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法的装置，其特征在于，所述的样品处理室(1)内设加热装置(2)，加热装置(2)上设有样品处理瓶(3)。

8.如权利要求6所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法的装置，其特征在于，所述排风装置(4)上设有排风管(7)，排风管(7)末端安装尾气吸收槽(5)。

9.如权利要求6所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法的装置，其特征在于，所述样品处理室(1)的挡风门是耐HF的材料。

10.如权利要求6所述的电子级正硅酸乙酯中痕量杂质分析的前处理方法的装置，其特征在于，所述样品处理瓶(3)为聚四氟乙烯坩埚。