[发明专利]一种利用有机硅硅渣生产氯硅烷的方法及装置有效
| 申请号： | 201811333009.9 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109292781B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 王姗;沈祖祥 | 申请（专利权）人： | 成都蜀菱科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 李进 |
| 地址： | 610000 四川省成都市新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用有机硅硅渣生产氯硅烷的方法及装置，涉及有机硅技术领域。该利用有机硅硅渣生产氯硅烷的方法包括：利用惰性气体在混合装置中高速通行使硅渣进料口和反应气体进料口产生负压，进而使硅渣和反应气体在混合装置中混合均匀，其中，惰性气体的流速为100‑300m/s，反应气体为氯化氢或氯气；将混合气体在240‑350℃的温度条件下反应，在130‑160℃的温度条件下初步冷却，然后在70‑130℃的温度条件下二次冷却得到氯硅烷气体。该利用有机硅硅渣生产氯硅烷的装置为用于实施上述方法的装置，通过改进气固混合装置实现硅渣和反应气体的充分混合，进而通过反应和除杂后得到氯硅烷产品。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 有机硅 生产 硅烷 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种利用有机硅硅渣生产氯硅烷的方法，其特征在于，包括如下步骤：利用喷射惰性气体或反应气体的方式使气体在混合装置中高速通行，使硅渣进料口和反应气体进料口产生负压，进而使所述硅渣和所述反应气体在所述混合装置中混合均匀，其中，所述惰性气体或反应气体喷射的流速为100‑300m/s，所述反应气体为氯化氢或氯气；将混合气体在240‑350℃的温度条件下反应，然后依次经过初步冷却和二次冷却得到氯硅烷气体，其中，初步冷却后气体的温度控制在130‑160℃，二次冷却后气体温度控制在70‑130℃。
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