[发明专利]间隙填充方法有效
| 申请号： | 201811331123.8 | 申请日： | 2018-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN109786223B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | J·F·卡梅伦;K·张;崔莉;D·格林;山田晋太郎 | 申请（专利权）人： | 罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033;C07C45/69;C07C49/753 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈哲锋;胡嘉倩 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种制造半导体装置的方法，其包括：提供半导体装置衬底，所述衬底的表面上具有浮雕图像，所述浮雕图像具有多个待填充的间隙；将涂层组合物施加至所述浮雕图像以提供涂层，其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物，其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体，和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元；其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的M |
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| 搜索关键词： | 间隙 填充 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其包括：(a)提供半导体装置衬底，所述衬底的表面上具有浮雕图像，所述浮雕图像具有多个待填充的间隙；(b)将涂层组合物施加至所述浮雕图像并填充所述间隙以提供涂层，其中所述涂层组合物包含(i)聚亚芳基寡聚物，其包含一种或多种具有两个或更多个环戊二烯酮部分的第一单体和一种或多种具有芳香族部分和两个或更多个炔基部分的第二单体作为聚合单元；其中所述聚亚芳基寡聚物具有1000至6000Da的Mw、1至2的PD I，以及1:>1的总第一单体比总第二单体的摩尔比；和(i i)一种或多种有机溶剂；(c)使所述涂层固化以形成聚亚芳基膜；(d)在所述聚亚芳基膜上设置无机硬掩模层；(e)在所述无机硬掩模层上设置光致抗蚀剂层；(f)使所述光致抗蚀剂层图案化；(g)将所述图案从所述光致抗蚀剂层转移至所述聚亚芳基膜；以及(h)随后将所述图案转移至所述半导体装置衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
