[发明专利]基于忆阻器交叉阵列的低功耗加权求和电路

摘要

本发明属于集成电路技术领域，具体为一种基于忆阻器交叉阵列的低功耗加权求和电路。本发明电路由一传统基于阻变类型存储器交叉阵列的加权求和电路和一个电流采样电路构成；其工作分为两个阶段，第一阶段是预充电，第二阶段是加权求和和电流采样；本发明采用阻变类型存储器的交叉阵列对一组输入电压实现加权求和操作，结果以电流和形式表征，并采用电流采样将电流和转换成电荷储存。相比传统做法，本发明可以缩短加权求和操作中直流的持续时间，有利于降低功耗。

主权项

1.一种基于忆阻器交叉阵列的低功耗加权求和电路，其特征在于，由一传统基于阻变类型存储器交叉阵列的加权求和电路，和一个电流采样电路构成；其工作分为两个阶段，第一阶段是预充电，第二阶段是加权求和和电流采样；所述的阻变类型存储器，具有两端结构，是相变存储器、铁电存储器、磁存储器、阻变存储器或其他任何用阻值高低表征逻辑值的存储器；阻变类型存储器的交叉阵列是由若干水平方向的互连线和若干竖直方向的互连线互相交叉构成，每个交叉处有一个阻变类型存储器单元，该阻变类型存储器单元的两端中，一端连接水平方向的互连线，另一端连接竖直方向的互连线；加权求和操作的输入电压施加在阻变类型存储器的交叉阵列的水平方向互连线的一端；所述的加权求和操作，是将一组输入电压与阻变类型存储器的交叉阵列竖直方向的一列阻变类型存储器单元的电导分别乘积，结果以电流和的形式从阻变类型存储器的交叉阵列竖直方向同一列对应的互连线输出获得。