[发明专利]一种基质近红外长余辉荧光粉及其制备方法在审
| 申请号： | 201811328281.8 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109294573A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 彭明营;熊普先;李景明 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基质近红外长余辉荧光粉,发光材料为SrSnO3，采用Ho取代原Sr摩尔含量的0.5～1.5％。本发明还公开了基质近红外长余辉荧光粉的制备方法，其包括以下步骤：(1)按表达通式Sr1‑xSnO3:xHo3+，分别称取含锶的化合物原料、含锡的化合物原料及含钬的化合物原料；(2)将步骤(1)称取的化合物原料研磨混匀后在氧化性气氛下预烧；(3)将步骤(2)预烧后的样品取出，研磨混匀后在氧化性气氛下灼烧，温度为1000℃～1300℃，时间为2～7小时；即得到基质近红外长余辉荧光粉。本发明的基质近红外长余辉荧光粉，通过Ho3+掺杂，其余辉强度提高约8倍，余辉时间从7s增加到32s。 | ||
| 搜索关键词： | 长余辉荧光粉 基质 化合物原料 氧化性气氛 研磨 称取 混匀 预烧 制备 发光材料 含锶 余辉 灼烧 掺杂 取出 | ||
【主权项】：
1.一种基质近红外长余辉荧光粉,其特征在于，发光材料为SrSnO3，采用Ho取代原Sr摩尔含量的0.5～1.5％。
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