[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811324293.3 | 申请日： | 2018-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN109786334A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 张星旭;金锡勋;李承勋;许洋;柳廷昊;柳宗烈;曹荣大 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波;屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其形成方法。该方法可以将掺杂剂注入到衬底中以形成初始杂质区并加热衬底以将初始杂质区转换成杂质区。加热衬底可以在约800℃至约950℃的环境温度下执行约20分钟至约50分钟。该方法还可以包括在杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽以限定有源鳍，以及分别在第一沟槽和第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层。第一隔离层和第二隔离层可以暴露有源鳍的相反侧。该方法还可以包括形成在有源鳍的相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层，以及形成横越有源鳍的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 隔离层 杂质区 衬底 半导体器件 相反侧 加热 栅极绝缘层 掺杂剂 上表面 栅电极 横越 转换 暴露 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路器件的方法，该方法包括：将掺杂剂注入到衬底中以在所述衬底中形成初始杂质区；加热所述衬底以将所述初始杂质区转换成杂质区，其中加热所述衬底在800℃至950℃的环境温度下执行并且执行20分钟至50分钟；在所述杂质区中形成第一沟槽和第二沟槽，以在所述第一沟槽与所述第二沟槽之间限定有源鳍；分别在所述第一沟槽和所述第二沟槽中形成第一隔离层和第二隔离层，其中所述有源鳍突出超过所述第一隔离层和所述第二隔离层的上表面，使得所述第一隔离层和所述第二隔离层暴露所述有源鳍的相反侧；形成在所述有源鳍的所述相反侧和上表面上延伸的栅极绝缘层；以及形成横越所述有源鳍的栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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