[发明专利]力-热作用下表征TATB基PBX内应力的方法有效
| 申请号： | 201811319457.3 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109470577B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 徐尧;刘晨;肖盼;戴斌;杨占锋;李丽;李海宁;何荣芳 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院化工材料研究所 |
| 主分类号： | G01N3/18 | 分类号： | G01N3/18;G01N3/06;G01N23/046;G01N23/207;G01N23/2251;G01N23/202 |
| 代理公司： | 四川省成都市天策商标专利事务所 51213 | 代理人： | 刘兴亮 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了力‑热作用下表征TATB基PBX内应力的方法，包括如下步骤：对PBX进行原位机械应力/热应力加载，利用中子衍射技术获得TATB晶体的晶格点阵参数，获取机械应力、温度与TATB晶格点阵参数的关系；同时，利用内部微结构表征技术获得PBX的细观结构；通过机械应力、温度与TATB晶格点阵参数的关系以及细观结构获得PBX的性能拐点，最终获得热‑力耦合作用下的PBX内部TATB晶体响应行为规律。本发明首次将中子衍射技术引入含能材料研究领域，非侵入式无损观察机械应力/热应力下PBX中TATB晶体衍射峰的位移、宽化、不对称性等点阵参数，为含能材料的宏观性能评估提供基础的参数。 | ||
| 搜索关键词： | 作用 表征 tatb pbx 内应力 方法 | ||
【主权项】：
1.一种力‑热作用下表征TATB基PBX内应力的方法，其特征在于包括如下步骤：对PBX进行原位机械应力/热应力加载，利用中子衍射技术获得TATB晶体的晶格点阵参数，获取机械应力、温度与TATB晶格点阵参数的关系；同时，利用内部微结构表征技术获得PBX的细观结构；通过机械应力、温度与TATB晶格点阵参数的关系以及细观结构获得PBX的性能拐点，最终获得热‑力耦合作用下的PBX内部TATB晶体响应行为规律。
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