[发明专利]镀敷解析方法、镀敷解析系统、及用于镀敷解析的计算机可读存储介质有效
| 申请号： | 201811315859.6 | 申请日： | 2018-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN109753676B | 公开（公告）日： | 2023-08-18 |
| 发明（设计）人： | 社本光弘;下山正 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;C25D21/12;G06F111/10 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;刘伟志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够求出电镀膜的膜厚分布的镀敷解析方法、镀敷解析系统、及用于镀敷解析的计算机可读存储介质。镀敷解析方法包含：在电镀装置中进行电化学测定的步骤；从上述电化学测定的结果导出电化学参数的步骤；对进行镀敷处理时的镀敷条件进行特定的步骤；基于上述电化学参数及上述镀敷条件来确定作为镀敷处理对象的基板的表面的电流密度分布的步骤，其中上述电流密度分布通过将上述基板上的位置设为变量的规定函数式来表述；和基于上述电流密度分布来计算出会被镀敷在上述基板上的膜厚的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 解析 方法 系统 用于 计算机 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
1.一种镀敷解析方法，其特征在于，包含：在电镀装置中进行电化学测定的步骤；从所述电化学测定的结果导出电化学参数的步骤；对进行镀敷处理时的镀敷条件进行特定的步骤；基于所述电化学参数及所述镀敷条件来确定作为镀敷处理对象的基板的表面的电流密度分布的步骤，其中所述电流密度分布通过将所述基板上的位置设为变量的规定函数式来表述；和基于所述电流密度分布来计算出会被镀敷在所述基板上的膜厚的步骤。
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