[发明专利]蚀刻方法

摘要

本发明提供一种蚀刻的方法。被加工物包括由氧化硅形成的第一区域和由氮化硅形成的第二区域。第二区域以提供凹部的方式延伸，并在凹部的下侧设有底部区域。第一区域被设置成覆盖第二区域。在蚀刻方法中，在被加工物上形成碳氟化合物的沉积物，稀有气体原子的离子被照射到被加工物，来蚀刻第一区域。接着，向底部区域供给氢离子，来形成改性区域。接着，在被加工物上形成碳氟化合物的沉积物，将稀有气体原子的离子照射到被加工物，来蚀刻改性区域。

主权项

1.一种用于蚀刻被加工物的蚀刻方法，其特征在于：所述被加工物包括基底区域、第一区域和第二区域，所述第二区域由氮化硅形成，包含第一隆起区域、第二隆起区域和底部区域，其中，所述第一隆起区域和所述第二隆起区域以在所述基底区域上在所述第一隆起区域和所述第二隆起区域之间提供凹部的方式延伸，所述底部区域在该凹部的下侧延伸，所述第一区域由氧化硅形成，被设置成覆盖所述第二区域，所述蚀刻方法包括：对所述第一区域进行蚀刻的步骤；在所述第一区域被蚀刻之后，对所述底部区域选择性地进行改性而形成改性区域的步骤；和对所述改性区域进行蚀刻的步骤，所述对所述第一区域进行蚀刻的步骤包括：为了在所述第一区域上形成碳氟化合物的沉积物，而生成包含碳氟化合物气体的第一处理气体的等离子体的步骤；和为了向在其上形成有所述沉积物的所述被加工物供给稀有气体原子的离子来蚀刻所述第一区域，而生成稀有气体的第一等离子体的步骤，在所述对所述第一区域进行蚀刻的步骤中，所述沉积物形成在露出的所述第二区域上，该第二区域被所述沉积物保护，形成在所述第一隆起区域的上表面和所述第二隆起区域的上表面之上的所述沉积物的厚度，大于形成在所述底部区域上的所述沉积物的厚度，在所述形成所述改性区域的步骤中，生成了含有氢的第二处理气体的等离子体，从该第二处理气体的该等离子体将氢离子供给到所述第一区域被蚀刻后的所述被加工物，在所述对所述改性区域进行蚀刻的步骤中，包括：为了在具有所述改性区域的所述被加工物上形成碳氟化合物的沉积物，而生成包含碳氟化合物气体的第三处理气体的等离子体的步骤；和为了向具有所述改性区域并在其上形成有所述沉积物的所述被加工物供给稀有气体原子的离子来蚀刻所述改性区域，而生成稀有气体的第二等离子体的步骤。