[发明专利]热处理装置及热处理方法有效
| 申请号： | 201811302249.2 | 申请日： | 2018-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN109755158B | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 伊藤祯朗 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够准确测定基板的温度的热处理装置及热处理方法。经由上侧腔室窗(63)及下侧腔室窗(64)对腔室(6)内基座(74)所保持的半导体晶片(W)照射光从而加热半导体晶片(W)。基座(74)所保持的半导体晶片(W)的温度由辐射温度计(120)测定。温度修正部(31)基于由辐射温度计(130)测定的上侧腔室窗(63)的温度测定值、由辐射温度计(140)测定的下侧腔室窗(64)的温度测定值以及由辐射温度计(150)测定的基座(74)的温度测定值，修正由辐射温度计(120)进行的半导体晶片(W)的温度测定。由此，能够与基座(74)等腔室内构造物的温度无关地准确测定半导体晶片(W)的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种热处理装置，通过对基板照射光来对该基板进行加热，其特征在于，具有：腔室，容纳基板；光照射部，对容纳在所述腔室内的所述基板照射光；基板温度测定部，接收从所述基板辐射的红外光并测定所述基板的温度；构造物温度测定部，测定在所述腔室内设置的构造物的温度；以及温度修正部，基于由所述构造物温度测定部测定的所述构造物的温度对所述基板温度测定部的温度测定进行修正。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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